Unos cuantos artículos aceptados recientemente
-D. FUSTER, B. ALÉN, L. GONZÁLEZ, Y. GONZÁLEZ & J. MARTÍNEZ-PASTOR, Initial stages of self-assembled InAs/InP(001) quantum wire formation, J. Cryst. Growth, aceptado, en prensa (2006).
- D. FUSTER, B. ALÉN, L. GONZÁLEZ, Y. GONZÁLEZ, J. MARTÍNEZ-PASTOR, M.U. GONZÁLEZ & J. M. GARCÍA, Isolated self-assembled InAs/InP(001) quantum wires obtained by controlling the growth front evolution, Nanotechnology, aceptado, en prensa (2006).
- B. ALÉN, D. FUSTER, Y. GONZÁLEZ, L. GONZÁLEZ & J. MARTÍNEZ-PASTOR, InAs/InP
single quantum wire formation and emission at 1.5 mm, Appl. Phys. Lett., aceptado, en prensa (2006).
En los dos primeros artículos se muestran detalles de crecimiento y ópticos sobre la formación de hilos cuánticos InAs/InP. En el segundo se incluye, además, la emisión de hilos cuánticos aislados presentes en este tipo de muestras donde los hilos no están formados completamente y coexisten con terrazas planas de InAs. En el tercero de la serie se da el efecto de la potencia sobre la Fotoluminiscencia observada en un hilo cuántico aislado, que presenta un efecto muy diferente al observado en puntos cuánticos.
- W. OUERGHUI, J. MARTINEZ-PASTOR, J. GOMIS, M.A. MAAREF, D. GRANADOS & J. M. GARCIA, Lateral carrier tunnelling in vertically stacked In (Ga)As/GaAs quantum rings, Eur. Phys. J. B, aceptado, en prensa (2006).
En este artículo, basado en medidas de PL en onda continua y resuelta en tiempo sobre apilamientos verticales de 3 capas conteniendo anillos cuánticos. se estudia el efecto túnel a 10 K entre anillos, favorecido por el acoplamiento electrónico en la dirección vertical.
- D. FUSTER, B. ALÉN, L. GONZÁLEZ, Y. GONZÁLEZ, J. MARTÍNEZ-PASTOR, M.U. GONZÁLEZ & J. M. GARCÍA, Isolated self-assembled InAs/InP(001) quantum wires obtained by controlling the growth front evolution, Nanotechnology, aceptado, en prensa (2006).
- B. ALÉN, D. FUSTER, Y. GONZÁLEZ, L. GONZÁLEZ & J. MARTÍNEZ-PASTOR, InAs/InP
single quantum wire formation and emission at 1.5 mm, Appl. Phys. Lett., aceptado, en prensa (2006).
En los dos primeros artículos se muestran detalles de crecimiento y ópticos sobre la formación de hilos cuánticos InAs/InP. En el segundo se incluye, además, la emisión de hilos cuánticos aislados presentes en este tipo de muestras donde los hilos no están formados completamente y coexisten con terrazas planas de InAs. En el tercero de la serie se da el efecto de la potencia sobre la Fotoluminiscencia observada en un hilo cuántico aislado, que presenta un efecto muy diferente al observado en puntos cuánticos.
- W. OUERGHUI, J. MARTINEZ-PASTOR, J. GOMIS, M.A. MAAREF, D. GRANADOS & J. M. GARCIA, Lateral carrier tunnelling in vertically stacked In (Ga)As/GaAs quantum rings, Eur. Phys. J. B, aceptado, en prensa (2006).
En este artículo, basado en medidas de PL en onda continua y resuelta en tiempo sobre apilamientos verticales de 3 capas conteniendo anillos cuánticos. se estudia el efecto túnel a 10 K entre anillos, favorecido por el acoplamiento electrónico en la dirección vertical.

0 Comments:
Publicar un comentario
<< Home