TRABAJOS DE PODOLSKI

Os llamo la atención a la lectura de algunos de los trabajos de Podolski (Universidad de Oregon). Abajo tenéis el link. Sin lugar a dudas es uno de los jóvenes teóricos que han puesto de moda los metamateriales metalo-dieléctricos. Como podréis comprobar, estarían basados en nanocomposites basados en nanopartículas de plata. Quizás podamos hacer alguno de éstos en breve ....

http://www.physics.oregonstate.edu/~vpodolsk/resume.html#journals

ANTENA LASER PLASMÓNICA

Este artículo ha sido publicado en APL (89, 093120, 2006, por E. Cubukcu, E.A. Kort, K.B. Crozier y Federico Capasso), lo que no me ha sorprendido en absoluto, dada la gran imaginación y capacidad de Capasso.
El dispositivo es tan simple (y tan complicado) como un diodo láser de emisión lateral (comercial), al que se ha depositado una capa de oro y dibujado, por ion-beam, una nanoantena (dos zonas alargadas de unos 130 nm y separadas una distancia de unos 30 nm). El resultado es un campo cercano confinado a unas decenas de nm (mejora espacial inviable por vias ópticas convencionales en tecnología de láseres) y con intensidad mejorada.
Muy bueno.

Extracto del último número (el 3) de Nature Nanotechnology

Control de la deformación en nanocintas semiconductoras para electrónica, by YUGANG SUN et al. (Universidad de Illinois).

El control de la composición, forma, localización espacial y configuración geométrica de nanoestructuras semiconductoras es importante para casi todos los usos de estos materiales. En este artículo se presenta una estrategia mecánica para crear ciertas clases de formas tridimensionales en nanocintas semiconductoras que serían difíciles de generar de otras maneras. Esta aproximación implica el uso combinado de química superficial sobre modelado litográfico para proporcionar un control espacial sobre centros de adherencia, así como deformaciones elásticas de un substrato de soporte para inducir desplazamientos locales bien controladas.

EN FIN, UNA PASADA, PERO ALGO COMPLICADA LA ESTRATEGIA, ASÍ A PRIORI.

Crecimiento epitaxial de nanohilos de silicio usando un catalizador de aluminio, by YEWU WANG et al. (Max Planck Institute of microstructure Physics).

Normalmente el oro se ha utilizado como catalizador para el crecimiento de nanohilos de silicio y de otros semiconductores a través del mecanismo vapor-líquido-sólido. Sin embargo, el oro atrapa electrones e impone un serio problema de contaminación en procesado CMOS. Desde el punto de vista tecnológico, el aluminio sería un catalizador más adecuado, justo con el que los autores consiguen obtener nanohilos de silicio por crecimiento epitaxial (primera vez con este catalizador), aunque parece ser que el mecanismo de crecimiento pasa a ser el de vapor-sólido-sólido, atendiendo al diagrama de fases Al-Si.

Los de Jordi

Shape dependent electronic structure and exciton dynamics in small In(Ga)As quantum dots
Jordi Gomis, Juan Martínez-Pastor, Benito Alén, Daniel Granados, Jorge M. García, and Philippe Roussignol

We present a study of the primary optical transitions and recombination dynamics in InGaAs
self-assembled quantum nanostructures with di®erent shape. Starting from the same quantum dot seeding layer, and depending on the overgrowth conditions, these new nanostructures can be tailored in shape and are characterized by heights lower than 2 nm and base lengths around 100 nm. The geometrical shape strongly influences the electronic and optical properties of these nanostructuctures. We measure for them ground state optical transitions in the range 1.25 - 1.35 eV and varying energy splitting between their excited states. The temperature dependence of the exciton recombination dynamics is reported focusing on the intermediate temperature regime (before thermal escape begins to be important). In this range, an important increase of the effective photoluminescence decay time is observed and attributed to the state filling and exciton thermalization between excited and ground states. A rate equation model is also developed reproducing quite well the observed exciton dynamics.


Complete ground state gain recovery after ultrashort double pulses in quantum dot based semiconductor optical amplifier
Sabine Dommers, Vasily V. Temnov, Ulrike Woggon, Jordi Gomis, Juan Martinez-Pastor, Matthias Laemmlin, Dieter Bimberg

Gain recovery dynamics are studied in electrically pumped quantum dot based semiconductor optical amplifiers (SOA) after amplifciation of double femtosecond laser pulses using ultrafast
pump-probe spectroscopy with heterodyne detection. We observe a distinct change in gain recovery in the ground state when a signi¯cant excited state population is achieved. A complete gain recovery is found when two 150 fs pulses with 5 ps time delay pass through the SOA in resonance to the ground state under high injection currents of 80 to 100 mA. The obtained results open the way for ultrafast (> 200 GHz) operation in p-doped QD-based SOAs at 1300 nm telecom wavelengths.

Este artículo marca un nuevo hito en nuestro grupo, tanto por las colaboraciones, como por el tema de trabajo, la óptica integrada, en el que esperamos contribuir positivamente con nuestros propios dispositivos.