Extracto del último número (el 3) de Nature Nanotechnology

Control de la deformación en nanocintas semiconductoras para electrónica, by YUGANG SUN et al. (Universidad de Illinois).

El control de la composición, forma, localización espacial y configuración geométrica de nanoestructuras semiconductoras es importante para casi todos los usos de estos materiales. En este artículo se presenta una estrategia mecánica para crear ciertas clases de formas tridimensionales en nanocintas semiconductoras que serían difíciles de generar de otras maneras. Esta aproximación implica el uso combinado de química superficial sobre modelado litográfico para proporcionar un control espacial sobre centros de adherencia, así como deformaciones elásticas de un substrato de soporte para inducir desplazamientos locales bien controladas.

EN FIN, UNA PASADA, PERO ALGO COMPLICADA LA ESTRATEGIA, ASÍ A PRIORI.

Crecimiento epitaxial de nanohilos de silicio usando un catalizador de aluminio, by YEWU WANG et al. (Max Planck Institute of microstructure Physics).

Normalmente el oro se ha utilizado como catalizador para el crecimiento de nanohilos de silicio y de otros semiconductores a través del mecanismo vapor-líquido-sólido. Sin embargo, el oro atrapa electrones e impone un serio problema de contaminación en procesado CMOS. Desde el punto de vista tecnológico, el aluminio sería un catalizador más adecuado, justo con el que los autores consiguen obtener nanohilos de silicio por crecimiento epitaxial (primera vez con este catalizador), aunque parece ser que el mecanismo de crecimiento pasa a ser el de vapor-sólido-sólido, atendiendo al diagrama de fases Al-Si.